Nexperia是离散器件、逻辑器件和MOSFET器件领域的专家，该公司已经宣布发布了该公司的最低RDS(基于汽车的MOSFETs)。

 

AEC-Q101沟槽9,40 V汽车超连接MOSFETs在坚固、电和热效率的LFPAK56E相比传统的解决方案(如裸模、D2PAK或D2PAK-7设备)减少了81%。220 0.9 mΩDC-rated BUK9J0R9-40H MOSFET适合应用1.2千瓦,也是低成本比大D2PAK设备前面的最佳解决方案。

 

除了减少RDS(on)之外，新设备还具有改进的直流电流额定值为220 A——这是首次为汽车动力- so8占用。这使得在较小的碳足迹上拥有更高的功率密度，这对于需要双冗余电路的安全关键的汽车应用来说尤其有价值。在故障条件下，利用超结技术提高了雪崩的能力和安全的操作区域。

 

产品营销经理Norman Stapelberg说:“Nexperia公司拥有一个低压超高压MOSFET平台。在整体的可靠性和性能方面，Nexperia是市场的领导者——坚固的堑壕9超级连接技术结合了超强的LFPAK56和LFPAK56E包，使工程师们有信心在他们的安全关键设计中使用这个设备。

 

LFPAK56沟槽9 MOSFETs便于在高电流应用中并联。设备适合汽车的功能，如电机控制(刷刷和无刷)用于动力转向、传动控制、ABS、ESC、泵(水、油和燃料)、风扇转速控制、反电池保护和DC/DC转换器。

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