最大的功率密度为650V IGBT在表面安装D2PAK
Infineon Technologies公司已扩大了其薄型晶圆技术TRENCHSTOP5 IGBT产品系列。新产品系列将提供多达40 A 650V IGBT，与全额定40 A二极管在表面安装到263-3也称为D2PAK。
在D2PAK包中新的TRENCHSTOP 5 IGBT满足了对自动化表面装配的动力装置中更高功率密度的日益增长的需求。典型的应用需要最高的功率密度和效率是太阳能逆变器，不间断电源(UPS)，电池充电和能量储存。
来自英飞凌的超薄通道5技术允许在更小的芯片尺寸下获得更高的功率密度。因此，英飞凌是第一个安装40 a 650V IGBT和40 a二极管在D2PAK外壳。与D2PAK中的竞争产品相比，新家庭提供了比市场上任何其他产品都高的评级，其他联合包装的解决方案只能提供75%的电力。
新设备的高功率密度使设计师能够升级现有设计，开发功率输出高达25%的新平台，或者减少并行使用的功率设备数量，从而实现更紧凑的设计。D2PAK中独特的共包装的40a可以作为D3PAK或用于表面安装的to -247的替代方案。这支持容易焊接，导致快速和可靠的组装。
在D2PAK的新风挡5 650V IGBTs将被释放用于大批量生产。产品系列包括15个A, 20个A, 30个单IGBT和15个A, 20个A, 30个A和40个A IGBT，与当前的自由旋转二极管共同组成。
