超结功率mosfet进一步提高效率
日本东芝电子欧洲公司日前发布了一系列新一代650V功率mosfet，用于数据中心、太阳能(PV)电源调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用的服务器电源。
DTMOS VI系列的第一个设备是TK040N65Z，这是一个650V的设备，当脉冲(IDP)时，支持连续排放电流(ID)高达57A和228A。这个新设备提供了一个极低的漏源极导通电阻RDS(上)0.04Ω(0.033Ωtyp)。这样可以减少功率损失的应用程序。这种增强型器件在现代高速电源中使用非常理想，因为在设计中降低了电容。
由于关键性能指数/优点指数(FoM) - RDS(ON) x Qgd降低，供电效率得到了提高。与之前的DTMOS IV-H器件相比，TK040N65Z在这一重要指标上提高了40%，这意味着在2.5kW PFC电路中，在0.36%的区域内，供电效率显著提高。
新设备安装在行业标准的TO-247包中，确保与遗留设计的兼容性以及新项目的适用性。
东芝将继续扩大产品阵容，以适应市场趋势，并帮助提高电力供应和系统的效率。
新设备今天开始量产，马上开始出货。
