在开关模式电源(SMPS)中，每当功率MOSFET开关时，寄生电感会引起地面位移。这可能导致不受控制的开关门驱动器集成电路。在极端情况下，这会导致功率mosfet的电过载和smp故障。

 

为了解决这个问题，英飞凌科技提供了1通道低侧门驱动ICs 1EDN7550和1EDN8550。EiceDRIVER家族的这两个门驱动器都具有真正的差分控制输入，可以有效地防止误触发功率mosfet。1EDN7550和1EDN8550用于工业、服务器和电信smp以及无线充电应用、电信DC-DC转换器和电动工具。

 

EiceDRIVER 1 edn7550和1 edn8550免疫静态地抵消±70 V。安全运行是保证动态补偿高达±150 v。所有这一切都是可能的，不需要切断地面环路。由于栅极驱动集成电路具有真正的差分输入，只有两个输入之间的电压差对栅极驱动集成电路的开关行为起决定性作用。1EDNx550 EiceDRIVER非常适合用开尔文源接触控制功率mosfet。由于功率MOSFET的寄生源电感，这些栅极驱动电路对地面移动提供了足够的鲁棒性。与电流隔离的栅极驱动电路相比，这些单通道低侧栅极驱动电路比传统的解决方案更节省空间，成本更低。

 

此外，1EDNx550系列对于那些控制IC(向门驱动器IC提供控制信号)与门驱动器IC之间的距离大于通常情况的应用程序来说是一种具有成本效益的解决方案。这可能是由于产品设计要求，印刷电路板技术的选择或子卡的概念。这些星座的共同之处在于，寄生接地电感是控制IC和门驱动IC之间接地转移的原因。1EDNx550家族解决了这些挑战，缩短了产品开发时间。

 

英飞凌的1EDNx550低侧门驱动系列可在SOT-23 6针包。与传统的解决方案相比，它可以实现更高的功率密度，以更低的成本减少产品开发工作。

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