X-FAB翻倍6英寸碳化硅铸造产能
模拟/混合信号和特种铸造集团X-FAB Silicon Foundries宣布，计划将其位于得克萨斯州卢博克的fab工厂的6英寸碳化硅(SiC)工艺产能提高一倍，以满足客户对高效率功率半导体器件日益增长的需求。
为了加倍产能，X-FAB Texas公司购买了第二个加热离子注入器，用于制造6英寸SiC晶圆。这种加热离子注入器预计将于2018年底交付，预计2019年第一季度投产，以满足预期的近期需求。
X-FAB是第一家在6英寸晶圆片上提供碳化硅制造的晶圆厂。X-FAB公司的SiC工艺能力翻了一番，进一步强化了其保持6英寸SiC晶圆一流铸造厂的战略，并展示了公司对SiC技术和SiC铸造厂商业模式的承诺。
优势X-FAB 6英寸的碳化硅功率半导体过程能力包括优越的高压操作,显著降低晶体管导通电阻,大大降低传输和转换损失,延长高温操作高达400°F / 204°C,较高的热导率,高频率操作,和更低的寄生电容。X-FAB的SiC工艺能力使客户能够实现高效率的功率半导体器件，包括大功率mosfet、JFETs和肖特基二极管。
具有SiC功率器件的系统受益于系统尺寸和重量的降低，而且由于它们散热更少，因此与类似的功率半导体技术相比，它们的效率要高得多。这些特性对于电动汽车(ev)、风力涡轮机和太阳能转换器中的电力供应和电力转换器的切换非常重要。高温运行可以提高可靠性，特别是在飞机、电动赛车和火车机车等高温工业应用中。在便携式医疗设备和混合电动汽车(phev)中，减小系统尺寸和重量是很重要的。
X-FAB Texas的首席执行官Lloyd Whetzel说:“随着SiC越来越受欢迎，我们很早就意识到，增强离子注入能力对于我们在SiC市场的持续成功至关重要。这只是我们针对特定疾病的制造过程改进的总体资本计划的第一步。这一步也使X-FAB能够证明我们对SiC行业的承诺，并保持我们在SiC铸造行业的领先地位。
X-FAB公司的6英寸碳化硅工艺能力可在其位于德克萨斯州的Lubbock制造工厂使用，该工厂通过IATF-16949:2016国际汽车质量管理体系认证。
