随着对这些电路需求的增加，功率变换器技术正在显著向前发展。高密度、低功率的SMPS设计需要越来越多的高压mosfet。

 

英飞凌科技推出了一个新成员的CoolMOS™P7家庭,950 V CoolMOS P7 Superjunction MOSFET。它甚至满足最严格的设计要求:为照明，智能表，移动充电器，笔记本适配器，辅助电源和工业SMPS应用。这种新的半导体解决方案提供了优良的热效率性能和更低的材料成本和整体生产成本。

 

950 V CoolMOS P7特性包括出色的DPAK rds (on)，可实现更高密度设计。此外，优良的V GS(th)和最低的V GS(th)公差使MOSFET易于驱动和设计。与业内领先的英飞凌P7系列的其他成员相似，这个组件带有集成齐纳二极管ESD保护。这导致更好的装配产量，从而降低成本，减少与ESD相关的生产问题。

 

950 V CoolMOS P7使效率提高1%,从2˚C - 10˚C低MOSFET为更高效的设计温度。与CoolMOS系列的前几代产品相比，该组件提供了高达58%的开关损耗。与市场上的竞争技术相比，这种改进超过了50%。

 

950 V CoolMOS P7有220 FullPAK, 251 IPAK LL, 252 DPAK和SOT-223包装。这使得从THD转换到SMD设备成为可能。

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